早前，三星举办了代工论坛。

对于三星来说，举办此类步履的关键在于重新调整行业对该公司竞争力和产能的预期。很难不提防到配合股伴在为其最新和最出色的 AI 芯片继承竞争敌手时，三星但愿从 AI 初创公司、汽车客户、智高东谈主机等繁多高性能想象中获取相沿，何况该公司领有对电源、高压和 RF 搞定决策至关进军的无数传统工艺节点基础。

三星在这次步履中发布的要点是其 SF2Z 工艺节点的阶梯图。其中，“SF”代表三星代工场，“2”代表 2nm 级，Z 代表后面供电。SF2Z 将是集成该代 Gate-All-Around 时代（三星称之为 MBCFET）的节点，然后是 BSPDN，以栽种性能和能效。

在本文，咱们将会深切询查一些细节，但这里的关键日历是 2027 年——三星预测将在 SF2Z 时进行量产。这将是在该公司量产许多其他 SF2 级节点之后。SF1.4，也即是更早的节点，也将于 2027 年启动风险分娩。

三星代工场：扩展

鉴于《CHIPS法案》资金将流向三星，详情三星局势地方地至关进军。三星的大部分传统和前沿时代都位于韩国，散布在三个城市：

器兴，6号线，65nm-350nm：传感器，电源IC

器兴，S1 线，8nm：智高东谈主机、数据中心、汽车

华城，S3线，3nm-10nm

平泽 S5 线 1 期 + 2 期

平泽S5号线三期建立中

三星在好意思国也有两个工场：

奥斯汀（德克萨斯州），S2 线，14nm-65nm：智高东谈主机、数据中心、汽车

泰勒（德克萨斯州），文书新建 4 座晶圆厂，可容纳 10 座。将包括 SF2、SF4、FDSOI、封装

三星现时的封装局势位于韩国，但同期也领有众人 OSAT 配合股伴的雄壮影响力。泰勒的扩展议论将成为该公司在韩国境外进行的最大范围扩展，议论为任何好意思国企业提供现场全面运营，而无需借助亚洲。

制造时代阶梯图

与其他代工场一样，三星依靠一系列主要的系列工艺节点，从中繁衍出许多变体。在这种情况下，主节点是 SF4 和 SF2。

SF4 系列：FinFET

2021：SF4E（E = Early）

2022 年：SF4

2023 年：SF4P（P = Performance， for Smartphone）

2024 年：SF4X（X = Extreme， for HPC/AI）

2025 年：SF4A、SF4U（Automotive， U = Ultr）

三星的 SF4 仍然是 FinFET 节点，事实讲明注解，在智高东谈主机芯片组和无数思要顶端时代的 AI 初创公司中，它终点受接待。SF4P 主要针对智高东谈主机鸿沟，裸露比 SF4 低，而 SF4X 则是大多数 AI 和 HPC 用户最终会继承的家具。对于任安在 2024/2025 年寻找中端 GPU 的东谈主来说，如果它们选择三星制造，那么 SF4X 是您的最好继承。

由于汽车节点条目更高，三星每每会推出那时代的汽车专用版块，这即是 SF4A 的作用地方。SF4U，诚然被称为 Ultra，但旨在成为 SF4P 的更高价值版块，展示了针对智高东谈主机芯片组制造商的更高端政策，这些制造商但愿获取节点创新的平正，但同期又具有稍稍更大的余量和有用分娩。

SF2 系列：MCBFET (GAA)

2022 年：SF3E

2024 年：SF3

2025 年：SF2

2026 年：SF2P、SF2X

2027 年：SF2A、SF2Z

是以这可能会有点令东谈主困惑。三星代工场文书，它是第一个使用 SF3E 节点分娩 GAA 时代的公司——适应地定名为“early”。据咱们所知，诚然自 2022 年以来已参预量产，但它隧谈是一个里面节点，旨在匡助迷惑该时代。英特尔直到 2025 年的 20A/18A 节点才会推出 GAA，而台积电也在探讨在雷同的时期范围内推出 N2。这两家公司都但愿赶快将其推向市集，而不是像三星那样提前发布公告。

SF3 是第二代 GAA，已于 2024 年参预量产。这可能会有所回升，但第三代 SF2 将落拓向客户倾销。关切三星的用户可能会提防到，定名决策中从 SF3 到 SF2 的诊疗有点奇怪 - 这试验上意味着三星已将其 SF3P 及以后的系列改名为 SF2，可能更适合三星竞争敌手使用的定名。争论的焦点一如既往地是竞争对皆，但的确的客户照实知谈性能何如，无论节点称号何如。

2026 年，咱们将看到智高东谈主机 (SF2P) 和 GAA 的 AI/HPC 变体 (SF2X) 的大范围分娩，在这里，咱们将终点密切地罢职 SF4 系列的政策。2027 年，咱们将获取该汽车变体，但 SF2Z 将 BSPDN 带到了谈判桌上。从步履中的询查来看，2027 年对于 SF2Z 来说是一个大范围分娩日历，而不单是是风险分娩的理思日历。这意味着 SF2Z 的风险分娩将于 2026 年底或 2027 年头启动，早先在韩国，然后在适合的时候振荡到好意思国。

值得提防的是，三星预测 GAA 功率创新的节拍将比 FinFET 更快 - 幻灯片中的一张娇傲平面晶体管功率（14nm 之前）每年趋势为 0.8 倍，而在 FinFET 期间趋势为 0.85 倍/年。三星预测 GAA 将通过 GAA / MCBFET 将这些创新复原到每年 0.8 倍。

内存阶梯图

三星热衷于强调其在内存生态系统中的地位——主淌若手脚第一大供应商。该公司展示了其自 1992 年以来一直占据 DRAM 第一的位置，现时市集份额为 41%；自 2002 年以来一直占据 NAND 第一的位置，现时市集份额为 32%；自 2006 年以来一直占据 SSD 第一的位置，现时市集份额为 37%。三星将市集视为金字塔。

Tier 1: SRAM

Tier 2: LLC

Tier 3: HBM3E / HBM4

Tier 4: LPDDR6 / LPDDR5X-PIM / LPCAMM

Tier 5: CMM-D (C)

Tier 6: PBSD / CXL-H (C)

我发现这自己就很兴味，因为它展示了三星正在商量的一些行将推出的时代。咱们知谈内存顺次会跟着时期的推移而创新，举例从 HBM3 到 HBM4，能够从 LPDDR5 到 LPDDR6，但这里娇傲三星正在通过其 LPDDR5X 家具线完结内存处理。内存处理是三星多年来一直在指摘的事情，早先专注于 HBM 堆栈，并与 AMD Xilinx FPGA 或定制芯片建树配合使用。它行将出当今 LPDDR5X 的变体上，这一事实意旨要紧，非常是如果这意味着在中恒久内精真金不怕火电力对 AI 有平正的话。相似在第 4 层上的还有 LPCAMM。临了两个层都是对于内存和存储扩展的，尤其是行将推出的 CXL 顺次。

连络词，大多数东谈主关切的焦点是 HBM 方面。三星娇傲了一些数据和时期表：

2022 年：8-Hi 堆栈 HBM3，速率达 900 GB/秒

2024：12-Hi 堆栈 HBM3E，速率为 1178 GB/秒

2026：16-Hi 堆栈 HBM4，速率为 2048 GB/秒

2028年：HBM4E

对于HBM4，三星还娇傲了好多信息。

芯片密度：24 GB

容量：48GB/cube

数据宽度：2048 位（高于 1024 位）

引脚速率：6 Gbps/引脚（低于 8 Gbps/引脚）

堆叠高度：720 微米（无变化）

键合：铜-铜夹杂键合（从以前的方法更新）

基本芯片：包括缓冲器、从平面 FET 到 FinFET 的过渡

三星将 HBM4 列为以 70% 的面积和一半的功率提供 200% 的速率。但这并不是故事的放弃，因为三星但愿定制 HBM 成为最高性能硬件的顺次。这意味着包含逻辑温存冲区的基本芯片将由客户凭证其性能建树文献条目进行单独建树。这意味着相易的 HBM4 不错进行读取优化，或相沿更多内存加密模式。与更前沿的基本芯片相鸠合，指标是索取性能并栽种效果，这是 AI 东谈主群的两个标记，它们将以无与伦比的格式使用 HBM4。

封装

至少从我曩昔的角度来看，三星一直莫得落拓执行的鸿沟之一是封装业务。诚然其他代工场都在执行 CoWoS 和 EMIB/Foveros，但即使莫得营销称号来综合，也很难说出三星的封装材干是什么。尽管如斯，三星照实参与了先进封装，既用于智高东谈主机，也用于 AI 加快器。

在智高东谈主机鸿沟，阶梯图如下所示，其中列出了各自的热阻比（thermal resistance ratios）：

2016 年：I-POP、1x TR

2018年：FOPLP，TR为0.85倍

2023 年：FOWLOP，0.85 倍 TR

2025 年：FOPKG-SIP，0.65 倍 TR

在东谈主工智能方面，三星制定了以下东谈主工智能芯片的阶梯图。

现时：2.5D interposer、6 个 HBM3、80 GB 容量、带宽为 3.35 TB/秒

2024：2.5D interposer+、八个 HBM3E、192 GB 容量、带宽为 6.6 TB/秒

2026 年：2.xD 选择 RDL+Si Bridges，8-12 HBM4，576 GB 容量，带宽为 30.7 TB/秒

2027 年：2.xD+3D、逻辑/逻辑和逻辑/内存。16-24 HBM4E，带宽为 70.5 TB/秒

临了一个莫得列出容量，但咱们指摘的是鸠合 2.5D 和 3D 功能 - 实质上是将多个 AI 加快器鸠合在一谈。如果基础想象有一个想象芯片和四个 HBM3E 堆栈，这不错被视为雷同于 Blackwell。但三星的思法雷同于将两个 Blackwell 放在一谈。天然莫得提到这些 ASIC 的功耗！

在 3D 集成方面，咱们照实有一些对于三星何时会提供不同的底部芯片/顶部芯片相沿的阶梯图。

Bottom Die：2025 年推出 SF4X，2027 年推出 SF2P

Top Die：2025 年推出 SF2，2027 年推出 SF1.4

这看起来像是想象上的想象的语句，而不是想象上的缓存或缓存上的想象。

三星还提到了共封装光学器件 (CPO：co-packaged optics)。该公司正在投资 CPO 政策，包括电气接口芯片 (EIC：electrical interface chip)、光子接口芯片 (PIC：photonics interface chip) 和用于快速数据传输的光学板。

在演讲除外，我与三星的一位光学工程师进行了交谈，咱们询查了硅波导（waveguides）手脚将无数芯片组合在一谈的恒久搞定决策 - 如果您纯属初创公司 Lightmatter 的 Passage，它不错让多个芯片通过封装通过光相互通讯，咱们询查了这是这项时代的潜在未来。今天，大多数 CPO 搞定决策都在使用 GlobalFoundries 的 45nm 光子工艺或 imec 200nm 变体 - 因此很本心看到该鸿沟的竞争。三星暗示，他们预测很快就会有 EIC/PIC 主见考据。

临了的思法

阶梯图标明，三星费力于于恒久保捏跨越的地位。成为第一是一趟事，但作念好又是另一趟事。三星领有强盛的土产货芯片想象行业——我的名单上至少有六家东谈主工智能初创公司，我知谈好多中型东谈主工智能硬件公司都将使用 SF4X，包括 Tenstorrent 和 Groq。

除此除外，详情先进封装市集的走向亦然一个相当的平正，我但愿看到更多公开询查和三星材干的例子。论坛是一个细腻的开头齐鲁频道每日新闻，我期待看到更多的数据。

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